Samsung, veri merkezlerinin hızla büyüyen yapay zeka yükünü daha az enerjiyle taşıyabilmek için yeni bir bellek mimarisi öneriyor. Şirketin araştırmacıları, “ferroelektrik NAND” yaklaşımıyla okuma‑yazma sırasında oluşan büyük güç israfını yüzde 96’ya kadar düşürebilecek bir yöntem tanımladı. Bulgular 26 Kasım 2025’te Nature’da yayımlandı.
Fikir neye dayanıyor?
Klasik 3D NAND’de hücreler seri bağlı çalışır. Denetleyici, veriye ulaşmak için aradaki hücrelere “geçiş gerilimi” uygular. Katman sayısı arttıkça bu geçiş gerilimi toplamı büyür, güç tüketimi uçar. Samsung’un çözümü, kapıda hafniyum‑zirkonyum temelli bir ferroelektrik katman ile oksit yarıiletken kanalı birleştiren FeFET yapısı. Bu sayede “neredeyse sıfır geçiş gerilimi” ile aynı işlemler yapılabiliyor; güç kaybı keskin biçimde azalıyor. Üstelik hücre başına 5 bit seviyesine kadar çoklu seviye depolama korunuyor.
Araştırma ekibi, yaklaşımın 3D dikey yığınlarda da çalıştığını gösterdi. 25 nm kanal uzunluğuna inen hücrelerde sağlam elektriksel davranış rapor edildi. Böylece “kapasiteyi artırınca güç artar” çıkmazı kırılıyor; daha yoğun ve daha verimli depolama mümkün hale geliyor.
Bu mimari, veri merkezlerinde enerji maliyetlerini ve soğutma yükünü azaltma hedefiyle öne çıkıyor. Aynı zamanda telefon ve edge cihazlarda pil ömrüne de artı yazabilir. Yine de bugün için bu bir ürün duyurusu değil; bilimsel bir doğrulama. Ticarileşme için ek geliştirmeler ve üretime uygun süreçler gerekecek.
Konu, bellek dünyasında yükselen “ferroelektrik” trendinin bir parçası. 2025 boyunca yayınlanan incelemeler, FeFET ve benzeri çözümlerin, NAND’in ölçeklenme sınırlarına yaklaşırken güç/yoğunluk dengesini yeniden kurabileceğine işaret ediyor.
Özetle: Samsung’un Nature çalışması, 3D NAND’in en büyük enerji kaçaklarından birini kökten azaltabilecek bir yol tarif ediyor. Eğer üretime uyarlanırsa, hem yapay zekâ veri merkezlerinde hem de mobilde depolamanın enerji faturası belirgin biçimde düşebilir.
Kaynak: www.techspot.com
