Kore Yarı İletken Endüstrisi Birliği tarafından paylaşılan verilere göre Çinli bellek üreticileri YMTC ve CXMT; NAND, DRAM ve HBM teknolojilerinde Güney Koreli üreticilerle arasındaki farkı önemli ölçüde azaltıyor.
YMTC, NAND Teknolojisinde Farkı Bir Yıla İndirebilir
Korea JoongAng Daily’nin aktardığına göre Çin’in bellek teknolojilerindeki açığı kısa süre önce yaklaşık 5 yıl seviyesindeyken NAND tarafında 1 yıla kadar geriledi. Özellikle YMTC’nin üretim teknolojisinde kaydettiği ilerleme, Samsung ve SK hynix ile arasındaki farkın hızla kapanmasını sağlıyor.
Samsung ve SK hynix, 2025 yılında 300 katmanlı NAND üretimine başlarken YMTC, aynı dönemde 270 katmanlı NAND üretiyordu. YMTC’nin 2027 yılında 400 katmanlı NAND üretimine geçmesinin beklendiği belirtiliyor. Bu gerçekleşirse şirket ile Samsung ve SK hynix arasındaki teknolojik fark yaklaşık bir yıla kadar düşebilir.
YMTC, aynı zamanda üretim kapasitesini de artırıyor. Şirketin kapasitesinin 2027 başında aylık 300 bin yonga plakası (wafer) seviyesine ulaşması öngörülürken, 2027’de devreye girmesi planlanan iki yeni fabrikayla toplam kapasitenin 2028’de aylık 450-500 bin wafer seviyesine çıkabileceği öne sürülüyor.
CXMT, DRAM’de İki Yıl Geriden Geliyor
DRAM tarafında ise Çinli üretici CXMT’nin Samsung ve SK hynix’in yaklaşık iki yıl gerisinde olduğu bildiriliyor. Samsung ve SK hynix, 2023’te DDR5 üretimine başlarken CXMT’nin DDR5 modüllerini 2025’te üretmeye başlaması, bu farkın temel göstergelerinden biri olarak değerlendiriliyor.
Ayrıca CXMT, daha yeni bellek teknolojilerine geçiş konusunda da ilerleme kaydediyor. Şirket, hâlihazırda LPDDR5X’in seri üretimini gerçekleştirirken LPDDR6 üretimine de başladı. CXMT’nin üretim kapasitesini agresif şekilde artırdığı ve 2026 sonuna kadar üç farklı 300 mm DRAM fabrikasında toplam aylık 300 bin wafer kapasitesine ulaşmayı hedeflediği aktarılıyor. Ek olarak Şanghay ve Hefei’de iki yeni fabrika inşa ediliyor. Bu tesislerin tamamlanmasıyla CXMT’nin toplam üretim kapasitesinin aylık 600 bin wafer seviyesine çıkabileceği ve şirketin 2030’a kadar Micron’u hacim bazında geçebileceği öne sürülüyor.
HBM’de Teknoloji Farkı Üç Yıl Seviyesinde
HBM (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) tarafında ise Çin’in teknoloji açığı diğer bellek türlerine kıyasla daha yüksek. CXMT’nin HBM teknolojisinde yaklaşık üç yıl geriden geldiği belirtiliyor. Şirket, HBM3E modüllerinin pilot üretimine başlamış durumda ancak üretim veriminin yaklaşık yüzde 25 seviyesinde olduğu ve şirketin HBM yongalarını dikey olarak birbirine bağlayan TSV teknolojisinde hâlâ sorunlar yaşadığı aktarılıyor.
CXMT, HBM3E üretiminde YMTC’nin X-Stacking 3D NAND teknolojisinden yararlanıyor. Bu yaklaşımda geleneksel mikro çıkıntılar yerine bakır-bakır hibrit bağlama teknolojisi kullanılarak bellek katmanları arasındaki bağlantının kısaltılması hedefleniyor. Bu yöntem, Çinli üreticilerin gelişmiş HBM ürünleri üretirken EUV (Aşırı Ultraviyole) litografi ekipmanlarına olan ihtiyacını azaltıyor. Şirketin yerli DUV (Derin Ultraviyole) litografi ekipmanlarına erişimini de artırmaya çalıştığı öne sürülüyor. Fakat Çin’in yerli litografi üreticileri hâlen özellikle projeksiyon lensleri ve ışık kaynakları gibi kritik bileşenlerde çeşitli teknik zorluklarla karşı karşıya.
Çinli bellek üreticilerinin teknolojik gelişimin yanı sıra üretim kapasitesine de büyük yatırımlar yaptığı görülüyor. CXMT’nin 2026 sonuna kadar HBM odaklı aylık yaklaşık 50 bin wafer kapasitesine ulaşması bekleniyor. Öte yandan YMTC’nin de 2027’de devreye girmesi planlanan yeni fabrikalarıyla NAND üretim kapasitesini önemli ölçüde artırması öngörülüyor. Bu yatırımlar, Çin’in yalnızca bellek üretimindeki teknolojik açığı kapatmaya değil, aynı zamanda küresel pazardaki üretim payını artırmaya çalıştığını ortaya koyuyor.
Kaynak: wccftech.com
