SK hynix, 2025 yılının sonuna kadar 400 katmanlı NAND belleklerin ve 2025 yılının ilk yarısında ise 321 katmanlı NAND belleklerin seri üretimine başlamayı planlıyor.
SK hynix’in Yeni Hedefi, 400 Katmanlı NAND Bellek ile Daha Yüksek Depolama Kapasitesine Ulaşmak
Yüksek depolama kapasitesine olan talep devam ederken SK hynix, 400 katmanlı NAND belleklerle rekor kırmayı hedefliyor. Etnews’in haberine göre şirket, bu yeni 400 katmanlı NAND’ların seri üretimine 2025 yılının sonunda başlayacak ve 2026 yılının ilk yarısında tam ölçekli üretime geçmeyi hedefliyor.
Ancak yüksek katmanlı NAND üretimi karmaşık bir süreç olup bir dizi birleşim teknolojisi gerektiriyor. SK hynix, yeni malzemeler üzerinde inceleme yapıyor ve plakaların cilalama, aşındırma, kaplama ve kablolama gibi yöntemlerle bağlanmasını sağlayacak çeşitli teknolojileri araştırıyor.
Bu süreç, her katmandaki hücrelerin düzenine odaklanan hücre yapısı tasarımı ve istifleme gibi birkaç adım içeriyor. Silikon plakalar, Silisyum Dioksit (SiO₂) ve Silisyum Nitrür (Si₃N₄) katmanlarının uygulanmasıyla hazırlanıyor. Katmanlar, tek tek istiflenirken sürecin dikkatli bir şekilde yürütülmesi gerekiyor.
SK hynix, Ağustos 2023’te tanıttığı 321 katmanlı NAND belleklerin seri üretimine 2025 yılının ilk yarısında başlamayı planlıyor. Bu, şirketin şimdiye kadarki en ileri seviyede NAND ürünü olacak. Ancak SK hynix, bu alandaki tek oyuncu değil; Samsung ve Micron gibi diğer büyük bellek üreticileri de NAND çiplerin katman sayısını artırıyor. Micron, yakın zamanda 276 katmanlı yoğun NAND’ı tanıttı. Samsung ise 290 katmanlı 9. nesil dikey NAND’ın seri üretimine başladı.
“FMS 2024 zirvesinde SK hynix, üçüncü çeyrekte seri üretime geçmesi beklenen 12 katmanlı HBM3E ve 2025’in ilk yarısından itibaren piyasaya sürülecek 321 katmanlı NAND bellek örneklerini sergileyecek.”
SK hynix aracılığıyla
Ayrıca Samsung, 2030 yılına kadar 1000 katmanın üzerinde bir NAND bellek üretmeyi hedefliyor. Japon firması Kioxia ise şu anda 218 katmanlı 3D NAND bellek teknolojisini kullanıyor ve Samsung’dan önce 1000 katmana ulaşmayı planlıyor.
SK hynix’in 400 katmanlı NAND üretimindeki yaklaşımı, bellek hücrelerini çevresel devrelerin üzerine yığmayı içeriyor. Çevresel devreler, bellek hücrelerini kontrol ediyor ve alt katmanda bulunuyor. Hücreler ise üst katmanlara istifleniyor. Ancak daha fazla katman eklenmesi, çevresel devrelerin zarar görmesine yol açabilir çünkü bu süreç, daha fazla ısı ve baskı üretiyor.
Şirket, bu nedenle çevresel devreleri ve bellek hücrelerini ayrı plakalar üzerinde üretip sonra birleştiren hibrit bağlama yöntemini uygulamayı planlıyor. Hibrit bağlama sayesinde yüksek katman sayısı ile NAND çiplerin boyutları büyümeden daha fazla veri depolayabiliyor. Bu, kompakt sistemlerde yer tasarrufu sağlarken depolama kapasitesini artırıyor ve daha maliyet etkin depolama çözümlerine olanak tanıyor.
Kaynak: wccftech.com
