SK Hynix, 1c DRAM teknolojisinde büyük bir sıçrama gerçekleştirerek verimlilik oranını yüzde 80’e çıkarmayı başardı. Bu gelişmeyle birlikte firma bu sektördeki en güçlü oyuncu konumuna yükseldi.
SK hynix, 1c DRAM Teknolojisiyle Beraber DRAM Alanındaki Hâkimiyetini Tekrar Kanıtladı
Hankooki’nin haberine göre, şirketin 10 nm 6. nesil DRAM modüllerinde verimlilik %80-90 seviyelerine ulaştı. DDRAM modüllerinde bu oran, 2024’ün ikinci yarısında %60 civarında bulunuyordu. Kısa sürede sağlanan bu ilerleme, SK Hynix’in teknik yeterliliğini gözler önüne seriyor.
SK Hynix şu anda önceliğini yüksek bant genişliğine sahip HBM4 bellek modüllerinin üretimine veriyor. Bu nedenle 1c tabanlı DDR5 bellek çözümlerinin yakın zamanda piyasaya sürülmesi beklenmiyor. Ancak HBM4E gibi daha gelişmiş belleklerde bu teknolojinin doğrudan kullanılacağı öngörülüyor.
SK Hynix’in elde ettiği bu başarı, Samsung’un 1c DRAM geliştirme çalışmalarını gölgede bıraktı. Samsung, hâlen verimlilik sorunlarıyla uğraşırken SK Hynix, HBM4’ün seri üretimine ilk geçen firma olmaya hazırlanıyor. Samsung kısa süre önce 12nm DRAM duyurusunu yapmış olsa da, üretim başarımı konusunda SK Hynix’in gerisinde kaldığı görülüyor.
SK Hynix’in HBM4 bellek modüllerine yönelik ilk parti örneklerini yakın zamanda başlatması bekleniyor. Bu gelişmeyle birlikte firma, sektördeki rekabetin seyrini değiştirebilir. Özellikle yapay zekâ ve yüksek performanslı hesaplama sistemlerinin ihtiyaç duyduğu bellek çözümleri açısından SK Hynix önemli bir avantaj elde etmiş olabilir.
Kaynak: wccftech.com
