Samsung Gelecek Nesil Bellek Planlarını Duyurdu
Samsung, California’nın Santa Clara kentinde düzenlenen Future of Memory and Storage 2026 konferansında yeni bellek yol haritasını paylaştı. Şirketin odak noktası üç ana teknoloji oldu: 400 katmanın üzerine çıkmayı hedefleyen yeni Bonding V-NAND mimarisi, dikey olarak istiflenen bir yüksek bant genişlikli bellek yaklaşımı olan zHBM ve yeni nesil NAND fikri olarak tanıtılan zNAND-O. Etkinlikte öne…