Çin, Eski Çip Ekipmanlarıyla 3nm Benzeri Performans Sunabilecek Transistörler Geliştiriyor
Çin Bilimler Akademisi (CAS), mevcut DUV (Derin Ultraviyole) litografi makineleriyle üretilebilen yeni GAA transistör mimarisi geliştirdi. Yeni transistörlerin 500 binin üzerinde açma-kapama oranına ulaştığı belirtilirken, tasarımın teorik olarak 3nm seviyesinde performans için bir yol sunabileceği ifade ediliyor. GAA Tasarımı, Daha Gevşek Transistör Yerleşimine İmkân Sağlıyor Yeni mimarinin temelinde Gate-All-Around (GAA) transistörler bulunuyor. Geleneksel FinFET tasarımlarında…