CXMT, DRAM Transistörlerinde Hafniyum Kullanarak İleri Üretim Süreçlerine Geçişin Önünü Açıyor
Çin merkezli bellek üreticisi CXMT, DRAM üretiminde daha ileri süreç teknolojilerine geçişin önünü açabilecek önemli bir adım atıyor. Şirketin, DRAM transistörlerinde High-k Metal Gate (HKMG) teknolojisini kullanmaya başladığı bildirildi. Bu teknolojide geleneksel silikon bazlı yalıtkan yerine hafniyum oksit gibi yüksek dielektrik sabitine sahip malzemeler kullanılıyor. CXMT’nin 2031’e Kadar Aylık 800 Bin Yonga Plakası Üretim Kapasitesine…