KIOXIA, Sandisk ile ortaklaşa düzenlediği Uluslararası Katı Hâl Devreleri Konferansı (ISSCC) 2025 ile eş zamanlı olarak yayınladığı bir basın bülteninde 10. nesil 3D NAND flaş bellek teknolojisini duyurdu. Yeni teknoloji, önceki nesillere kıyasla %33’e kadar daha yüksek performans, daha fazla bit yoğunluğu, daha hızlı arayüz ve daha iyi güç verimliliği sunuyor.
KIOXIA’nın yeni 3D depolama teknolojisi, ayrı olarak üretilen bir CMOS yongası ve bir hücre dizisi yongası birleştirilerek oluşturulan bir Diziye Bağlı CMOS (CBA) özelliğine sahip. Bu yeni bir şey değil, çünkü bu özellik, KIOXIA’nın 8. nesil 3D NAND ürünlerinde de yer alıyordu. Ancak asıl büyük yenilik ise 4,8 Gb/s’ye kadar NAND arayüz hızına izin veren yeni arayüz standardı Toggle DDR6.0 teknolojisi.
KIOXIA, 8. nesil teknolojisinin 218 katmanına kıyasla 322 katmana ulaşan yeni belleğin, %33’e kadar daha yüksek hız sunduğunu belirtiyor. 322 katman, şirketin 2027’ye kadar 1.000 katmanlı 3D NAND üretme hedefine kıyasla düşük kalsa da yine de önemli bir ilerleme.
Üreticilere göre Kıyaslama Tablosu
| Üretici | Nesil | Katman Sayısı | mm² Başına Yoğunluk | Mimari | Yonga Kapasitesi | Arayüz Hızı | Çıkış Tarihi |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YMTC | (Bilinmiyor) | 232 Katman | >20 Gb/mm² | TLC | 1 Tb | (Bilinmiyor) | (Bilinmiyor) |
| YMTC | Xtacking 3.0/Gen 4 | 232 Katman | 19.8 Gb/mm² | QLC | 1 Tb | (Bilinmiyor) | (Bilinmiyor) |
| Micron | Gen 9 (G9) | 276 Katman | 21.0 Gb/mm² | TLC | 1 Tb | 3600 MT/s’ye kadar | (Bilinmiyor) |
| Samsung | V9 | 290 Katman (Kesin Değil) | 17 Gb/mm² | TLC | 1 Tb | 3200 MT/s’ye kadar | (Bilinmiyor) |
| WD/KIOXIA | BiCS 8 | 218 Katman | 22.9 Gb/mm² | QLC | 2 Tb | 3600 MT/s’ye kadar | (Bilinmiyor) |
| SK hynix | Gen 9 | 321 Katman | 20 Gb/mm² | TLC | 1 Tb | (Bilinmiyor) | (Bilinmiyor) |
| Sandisk/ KIOXIA | Gen 10 | 332 Katman | 36.4 Gb/mm² | (Bilinmiyor) | (Bilinmiyor) | 4800 MT/s’ye kadar | (Bilinmiyor) |
KIOXIA’nın sunduğu verilerden yola çıkarak bazı tahminlerde bulunabilirsiniz. Bit yoğunluğu %59 oranında iyileştirildiğinde, Gen 10’un milimetre kare başına 36,2 Gb’lık bir yoğunluğa sahip olduğunu varsayabilirsiniz. 8 bitlik bir veri yolu genişliğine sahip olunacağını varsayarsak, 4,8 Gb/sn arayüz hızının 4800 MT/sn’ye denk geldiğini söyleyebiliriz.
Yeni teknoloji, giriş için güç tüketimini %10 ve çıkış için %34 oranında azaltan Güç İzoleli Düşük Sonlandırma özelliğine (PI-LTT) sahip. KIOXIA, güç verimliliğine odaklanılmasının yapay zekâ teknolojilerinin artan enerji gereksinimlerinden kaynaklandığını belirtiyor.
KIOXIA’nın Baş Teknoloji Sorumlusu Hideshi Miyajima basın bülteninde şunları paylaştı: “Yapay zeka teknolojilerinin yaygınlaşmasıyla, üretilen veri miktarının önemli ölçüde fazlalaşması ve modern veri merkezinde güç verimliliğinin artırılmasına duyulan ihtiyacın da çoğalması öngörülüyor.”
İlginç bir şekilde KIOXIA ve Sandisk, 9. nesil 3D NAND flash teknolojisiyle ilgili planlarını da açıkladı ancak 10. nesilde olduğu kadar detay vermedi.
KIOXIA ve Sandisk’in, yeni standardın seri üretimine ne zaman başlayabileceğine dair şu anda hiçbir bilgi yok. Firmaların 9. nesil ürünlerinin henüz piyasaya sürülmemiş olması göz önüne alındığında, 10. neslin seri üretim ve satışa sunulmasının uzun zaman alacağı söylenebilir.
Kaynak: Tom’s Hardware
