SK hynix, 375 katmanlı yeni nesil 3D NAND tasarımını doğrulamayı tamamladı ve mevcut V9 (321 katman) hatlarını kademeli olarak dönüştürerek 2026’nın sonunda hacimli üretime geçmeyi hedefliyor.
Şirket içinde bu düğüm bir dönem “400 katman sınıfı” olarak konuşuluyordu; ancak ultra yüksek katmanlarda üretim zorlukları arttığı için nihai yapı 375 katmanda sabitlendi.
Neden molibden?
SK hynix’in 375 katmanlı V10 NAND’inde, hücreleri kontrol eden “word line” elektrotlarında kullanılan tungstenin bir kısmı molibdenle değişiyor. Bu tercih, yüksek en-boy oranlı yapılarda dolgu (gap-fill) kabiliyetini ve iletkenliği iyileştirerek verimi artırmayı hedefliyor.
Geçişin yapılacağı hatlar bugün hâlâ 321 katmanlı V9 NAND üretiyor; şirket bu katmanda 2Tb QLC yongaları geçen yıldan beri seri üretimde konumlandırmıştı.
Sektörde 400+ katman yarışı hızlanırken Samsung, 2024’te 9. nesil (286 katman) V‑NAND’de molibdeni metalizasyon sürecine entegre eden ilk üreticilerden olmuştu. SK hynix’in malzeme değişimi, bu genel yönelimin bir parçası olarak öne çıkıyor.
Kısacası, 375 katmanlı V10 ile amaç; aynı alanda daha fazla bit yoğunluğu, daha yüksek üretim verimi ve ileride daha yüksek kapasiteli SSD’lere zemin hazırlamak. Seri üretim takvimi 2026 sonunu işaret ediyor.
- Hedef: 375 katmanlı V10’un 2026 sonunda seri üretimi.
- Teknik değişim: Word line’da tungsten yerine kısmen molibden.
- Bağlam: V9 (321 katman) hâlen üretimde; 400+ katman yarışı sürüyor.
Kaynak: www.techspot.com