SK hynix, mobil cihazlarda yerel yapay zekayı hızlandırmak için DRAM ve NAND’ı tek pakette birleştiren “High-Bandwidth Storage” (HBS) üzerinde çalışıyor. Konu ilk olarak Kore basınında gündeme geldi; HBS’nin akıllı telefon ve tablet gibi taşınabilir cihazlarda veri akışını hızlandırmayı hedeflediği, mobil DRAM ile NAND’ı aynı yapıda buluşturacağı belirtiliyor. Bu yaklaşım, yerinde (on‑device) çalışan yapay zeka modellerinde oluşan bellek darboğazlarını azaltmayı amaçlıyor.
HBS ile ne hedefleniyor?
HBS, düşük güç geniş I/O (LPWIO) mobil DRAM ile NAND katmanlarını üst üste diziyor ve bu yığınlar “Vertical Wire Fan‑Out” (VFO) denen paketleme tekniğiyle birbirine bağlanıyor. Haberlere göre yapı en fazla 16 katmana çıkabiliyor. VFO’nun düz, dikey bağlantıları klasik kavisli kablolamaya göre daha kısa yol sunuyor; SK hynix’in paylaştığı verilere göre tel uzunluğu 4,6 kat kısalıyor, güç verimliliği yüzde 4,9 artıyor, ısı yayılımı yüzde 1,4 iyileşiyor ve paket yüksekliği yüzde 27 inceliyor. Bu da mobil cihazlarda alan, ısıl ve enerji tarafında önemli avantajlar getiriyor.
HBS’nin bir diğer farkı, HBM’de kullanılan TSV (Through‑Silicon Via) gibi pahalı delme süreçlerine ihtiyaç duymaması. Bu sayede üretim maliyetlerinin düşmesi ve verimin (yield) artması bekleniyor. Paketin doğrudan uygulama işlemcisi/SoC ile birlikte yerleştirilmesi planlanıyor; amaç, mobil cihazlarda yapay zeka işlemlerinin bellek‑depolama geçişini hızlandırmak.
VFO yaklaşımı SK hynix’in 2023’ten beri vitrine çıkardığı bir teknoloji. Şirket, bu yöntemin LPDDR ürünlerinde doğrulandığını ve somut kazanımlar getirdiğini daha önce paylaşmıştı. Hatta VFO tabanlı özel DRAM’in Apple Vision Pro’da kullanıldığına dair raporlar da yayımlandı.
HBF iş birliği ve daha geniş yol haritası
SK hynix, yalnızca HBS ile değil, NAND’ı yüksek bant genişliği dünyasına taşıyan “High Bandwidth Flash” (HBF) girişimiyle de gündemde. Sandisk ile Ağustos 2025’te imzalanan mutabakat zaptı, HBF’in standardını birlikte tanımlamayı hedefliyor. HBF, HBM’e benzer bant genişliğini korurken NAND sayesinde kapasiteyi 8–16 kat artırmayı amaçlıyor; ilk örneklerin 2026’nın ikinci yarısında, HBF kullanan ilk cihaz örneklerinin ise 2027 başında gelmesi planlanıyor. SK hynix, OCP 2025’te HBF temelli “AI‑N Family” stratejisinde “AIN B” (Bandwidth) çözümünü de öne çıkardı.
HBS ile HBF’in hedefleri farklı: HBF daha çok veri merkezi ve hız‑kapasite dengesini arayan hızlandırıcılar için konuşulurken, HBS mobil tarafta yerel yapay zekayı besleyecek, DRAM+NAND’ı tek pakette birleştiren daha “pratik” bir yapı olarak kurgulanıyor. Bazı kaynaklar, HBS’in resmi tanıtımı için 2029–2031 dönemini işaret ediyor; bu bilgi şirket tarafından doğrulanmış bir tarih değil, şimdilik kulis notu olarak görülmeli.
Özetle: SK hynix, DRAM ve NAND’ı aynı çatı altında buluşturan yeni paketleme hamleleriyle hem veri merkezi hem de mobil dünyada yapay zekanın bellek tarafındaki darboğazlarını gevşetmeye çalışıyor. HBS, mobil cihazlarda “yerinde yapay zeka” deneyimini hızlandırmayı hedeflerken; HBF, GPU/ivmeleyici ekosisteminde kapasiteyi büyütüp maliyeti aşağı çekmeyi amaçlayan tamamlayıcı bir yol gibi duruyor.
Kaynak: www.techspot.com