- Katılım
- 6 Aralık 2023
- Mesajlar
- 14.405
- Makaleler
- 5
- Çözümler
- 3
- Beğeniler
- 4.915
Çin Bilimler Akademisi (CAS), mevcut DUV (Derin Ultraviyole) litografi makineleriyle üretilebilen yeni GAA transistör mimarisi geliştirdi. Yeni transistörlerin 500 binin üzerinde açma-kapama oranına ulaştığı belirtilirken, tasarımın teorik olarak 3nm seviyesinde performans için bir yol sunabileceği ifade ediliyor. GAA Tasarımı, Daha Gevşek Transistör Yerleşimine İmkân Sağlıyor Yeni mimarinin temelinde Gate-All-Around (GAA) transistörler bulunuyor. Geleneksel FinFET tasarımlarında…
Devamını Oku: Çin, Eski Çip Ekipmanlarıyla 3nm Benzeri Performans Sunabilecek Transistörler Geliştiriyor
Kaynak: Techolay