Samsung, California’nın Santa Clara kentinde düzenlenen Future of Memory and Storage 2026 konferansında yeni bellek yol haritasını paylaştı. Şirketin odak noktası üç ana teknoloji oldu: 400 katmanın üzerine çıkmayı hedefleyen yeni Bonding V-NAND mimarisi, dikey olarak istiflenen bir yüksek bant genişlikli bellek yaklaşımı olan zHBM ve yeni nesil NAND fikri olarak tanıtılan zNAND-O. Etkinlikte öne…