Çinli bellek üreticisi ChangXin Memory Technologies, kısaca CXMT, yeni nesil DRAM tarafında önemli bir eşiği geçti. Şirket, 2026 Dünya Üretim Konvansiyonu kapsamında beşinci nesil DRAM üretim platformunu seri üretime aldığını açıkladı.
CXMT’ye göre G5 adı verilen bu yeni platform, hem üretim verimliliğinde hem de rekabet gücünde kayda değer artış getiriyor. Şirket özellikle bellek hücrelerinde kullanılan üretim sürecini daha ileri taşıdığını ve bu sayede dünya genelinde seri üretimde kullanılan en gelişmiş DRAM teknolojilerine biraz daha yaklaştığını söylüyor.
Açıklanan teknik ayrıntılar arasında 11,95 nm seviyesinde half-pitch değeri ve 45:1 en-boy oranına ulaşan kapasitör yapısı öne çıkıyor. Kısacası CXMT, aynı wafer alanına daha fazla bellek yerleştirebilen, daha verimli ve daha iddialı bir üretim sürecine geçtiğini göstermeye çalışıyor.
Şirket, bu platformla birlikte G5 tabanlı yeni LPDDR5X bellek çözümlerini de tanıttı. Bunlar özellikle akıllı telefonlar ve taşınabilir cihazlar gibi düşük güç tüketiminin kritik olduğu ürünleri hedefliyor. Paylaşılan bilgilere göre yeni nesilde yonga başına kapasite de önceki nesle kıyasla artmış durumda.
Bu gelişme, CXMT’nin yalnızca iç pazarda değil küresel bellek rekabetinde de daha görünür hale gelmek istediğini gösteriyor. Son dönemde Çinli üreticilerin DRAM kapasitesini hızla artırması, Samsung, SK hynix ve Micron gibi büyük oyuncuların hakim olduğu pazarda dengeleri zamanla etkileyebilecek bir unsur olarak görülüyor.
Öte yandan tek bir üretim duyurusu, şirketin en ileri rakiplerini tamamen yakaladığı anlamına gelmiyor. Yine de CXMT’nin seri üretime geçmiş olması, Çin’in yerli bellek teknolojilerinde daha üst seviyeye çıkma hedefi açısından dikkat çekici bir adım olarak öne çıkıyor.
Kaynak: www.techspot.com