Çin merkezli bellek üreticisi CXMT, DRAM üretiminde daha ileri süreç teknolojilerine geçişin önünü açabilecek önemli bir adım atıyor. Şirketin, DRAM transistörlerinde High-k Metal Gate (HKMG) teknolojisini kullanmaya başladığı bildirildi. Bu teknolojide geleneksel silikon bazlı yalıtkan yerine hafniyum oksit gibi yüksek dielektrik sabitine sahip malzemeler kullanılıyor.
CXMT’nin 2031’e Kadar Aylık 800 Bin Yonga Plakası Üretim Kapasitesine Ulaşması Bekleniyor
DRAM bileşenleri nanometre ölçeğinde küçüldükçe, geleneksel silikon dioksit (SiO₂) yalıtım katmanları etkinliğini kaybedebiliyor. Katmanların incelmesiyle elektronların kuantum tünelleme yoluyla yalıtım katmanından geçmesi, akım kaçağı ve buna bağlı enerji kaybına neden olabiliyor.
CXMT’nin kullandığı belirtilen HKMG teknolojisi, silikon bazlı yalıtkanın yerine hafniyum oksit (HfO₂) gibi yüksek dielektrik sabitine sahip bir malzeme kullanıyor. Hafniyumun daha yüksek “κ” (dielektrik sabiti) değerine sahip olması, aynı voltaj seviyesinde daha fazla yük depolanmasına ve DRAM süreçlerinin daha agresif şekilde küçültülmesine olanak sağlıyor.
Teknoloji aynı zamanda geleneksel polisilikon kapı elektrodu yerine özel metal katmanlardan oluşan bir yapı kullanıyor. Bu sayede polisilikon tükenmesi olarak bilinen ve elektriksel verimliliği olumsuz etkileyen bölge ortadan kaldırılıyor. HKMG’nin akım kaçağını azaltmasının yanı sıra güç verimliliğini artırması ve transistörlerin daha hızlı anahtarlanmasına katkı sağlaması da bekleniyor.
Şirketin bu teknolojiyi, G4 DRAM üretim sürecinde ve LPDDR5X ürünlerinde uyguladığı belirtiliyor. Bir sonraki nesil 15nm G5 DRAM üretim sürecinin de geliştirildiği göz önüne alındığında, daha gelişmiş 1a düğümüne geçişin önünün açıldığı değerlendiriliyor.
CXMT’nin HBM (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) tarafındaki çalışmaları da devam ediyor. Şirketin 18nm G3 DRAM sürecini kullanarak HBM2E için risk üretimi aşamasında olduğu, G4 süreciyle ise HBM3 örneklemeye başladığı belirtiliyor. Bunun yanında DDR6 bellek yongalarının Ar-Ge doğrulama aşamasının tamamlandığı aktarılıyor.
CXMT’nin Üretim Kapasitesi Hızla Artıyor
CXMT, teknoloji yatırımlarının yanı sıra üretim kapasitesini de hızlı şekilde artırıyor. Şirketin mevcut aylık yaklaşık 200 bin yonga plakası (wafer) seviyesindeki kapasitesini 2026 sonuna kadar 300 bine çıkarması bekleniyor. Bunun yaklaşık 50 binlik bölümünün HBM üretimine ayrılacağı belirtiliyor.
Şirket, ayrıca Şanghay ve Hefei’de iki yeni fabrika inşa ediyor. Bu tesislerin tamamlanmasıyla toplam üretim kapasitesinin aylık 600 bin yonga plakası seviyesine ulaşması hedefleniyor. Bu bağlamda CXMT’nin 2030 yılına kadar üretim hacminde Micron’u geride bırakmasının beklendiği öne sürülüyor. Şirketin kapasitesinin 2026-2031 yılları arasında her yıl aylık yaklaşık 100 bin artması ve 2031’de aylık toplam 800 bin seviyesine ulaşması öngörülüyor.
Öte yandan Samsung, SK hynix ve Micron’dan oluşan bellek sektörünün büyük oyuncuları da 10nm altındaki yeni nesil D0a sürecine yöneliyor. Bu şirketler, ek olarak hücrelerin dikey olarak istiflendiği 3D DRAM ve daha ileri bir bellek hücresi mimarisi olan 4F² teknolojisi üzerinde çalışıyor.
Kaynak: wccftech.com