Intel’in yeni 18A üretim teknolojisi, TSMC’nin N2 teknolojisiyle eşit SRAM yoğunluğu sunarak, şirketin yarı iletken pazarındaki konumunu güçlendirmeye hazırlanıyor. ISSCC oturumlarında paylaşılan bilgilere göre, her iki şirketin en son üretim teknolojileri SRAM yoğunluğunda birbirine denk performans sergiliyor.
Intel’in 18A “yüksek yoğunluklu” versiyonları, geniş dizi konfigürasyonuyla 38.1 Mb/mm² makro bit yoğunluğu sunuyor. Öte yandan TSMC, N2 teknolojisinde GAA mimarisinin entegrasyonu sayesinde SRAM yoğunluğunda yüzde 12’lik bir iyileştirme elde etti. Yüksek performanslı SRAM’lerde ise bu oran yüzde 18’e kadar çıkıyor.
“Intel – TSMC” Savaşı Kızışıyor
Intel’in 18A teknolojisindeki en önemli yeniliklerden biri, BSPDN (Backside Power Delivery) teknolojisinin kullanımı. Bu teknoloji, güç dağıtım sistemini yonganın arka tarafına taşıyarak sektörde bir ilke imza atıyor. Bu sayede hem güç verimliliği hem de sinyal bütünlüğü önemli ölçüde iyileştiriliyor.
Dr. Ian Cutress’in ISSCC oturumundan aktardığı bilgilere göre, SRAM teknolojilerinde âdeta bir “kraliyet savaşı” yaşanıyor. TSMC’nin 38 Mb/mm² N2 HD SRAM ve Intel’in 38 Mb/mm² 18A HD SRAM teknolojileri, bu rekabetin en üst seviyede olduğunu gösteriyor.
Uzmanlar, üretim teknolojilerinin gerçek başarısının tedarik zincirine girdikten ve verim oranları netleştikten sonra belli olacağının altını çiziyor. TSMC-Intel yarışının giderek kızışması beklenirken, bu alanda teknolojilerin tedarik zincirindeki performansı belirleyici olacak.
Kaynak: wccftech.com
