Micron, yeni nesil bellek ve depolama yol haritasını paylaştı. Şirketin 1γ (1-Gamma) üretim sürecini izleyecek 1δ (1-Delta) süreci, gelişmiş DRAM ürünlerinde yaklaşık %25 daha yüksek bit yoğunluğu hedefliyor. Bu, aynı çip alanına daha fazla veri sığdırılabilmesi anlamına geliyor. Micron, yeni sürecin seri üretimine 2027’nin ikinci yarısında geçmeyi planlıyor.
Yol haritasında DDR6 da yer alıyor. Micron, DDR5’in iki katından fazla bellek bant genişliği hedefliyor ve DDR6 çalışmalarında özellikle yapay zekâ veri merkezlerine yönelik sunuculara odaklanıyor. Bu nedenle açıklama, DDR6’nın yakın zamanda masaüstü bilgisayarlarda kullanılmaya başlanacağı anlamına gelmiyor; şirket henüz bir çıkış tarihi vermedi. Micron ayrıca, örneklerini sunduğu 512 GB kapasiteli DDR5 RDIMM modülünün ardından 1 TB kapasiteli bir RDIMM geliştirmeyi planlıyor.
Depolama tarafında ise 400’den fazla katmana sahip G11 NAND bulunuyor. Micron, mevcut G9 nesline kıyasla bit yoğunluğunu iki katına, giriş-çıkış hızını ise 1,5 katına çıkarmayı hedefliyor. G11’in seri üretimi de 2027’nin ikinci yarısı için planlanıyor. Bunlar şimdilik şirketin hedefleri; ürünlerin piyasaya çıkış tarihleri açıklanmış değil.
Kaynak: www.techspot.com
