Snapdragon 8 Elite, Qualcomm’un asıl hedefinin öncüsüydü. Şirket, kendi Oryon çekirdeklerini amiral gemisi mobil yonga setine ekledikten sonra bu çizgiyi bir sonraki modelde de sürdürüyor. Ancak beklenen isim “Snapdragon 8 Elite Gen 2” değil. Söylentilere göre Qualcomm, 23 Eylül’de Snapdragon 8 Elite Gen 5’i tanıtacak ve en üst seviye silikonla gelen yenilikleri açıklayacak.
Qualcomm’un yeni isimlendirme stratejisi kafaları karıştırıyor. En mantıklı seçenek olarak görülen “Gen 2” yerine farklı bir adlandırmaya gidilmesi, şirketin ürünlerini tek bir çatı altında toplama hedefinden kaynaklanıyor olabilir. Amiral gemisi Snapdragon 8 Elite’in yanında, daha uygun fiyatlı ancak benzer özellikler sunacak Snapdragon 8 Gen 5 modellerde yer alabilir. Ayrıca kulis bilgilerine göre 2026’da kırpılmış bir versiyon olan Snapdragon 8s Gen 5 de piyasaya sürülebilir.
Şirketin yeni nesil yonga setlerinde TSMC’nin 2nm sürecine geçişi 2026’ya kalacak. Qualcomm, Snapdragon 8 Elite Gen 5’i 3nm “N3P” üretim süreciyle piyasaya sürmeyi planlıyor. Bu süreç, aynı güç tüketiminde yaklaşık %5 performans artışı ya da aynı saat hızında %5-10 arası enerji tasarrufu sağlayabiliyor. Yani geçen yıl kullanılan N3E’ye kıyasla devrimsel değil; daha ölçülü bir iyileştirme sunulacak.
Snapdragon 8 Elite’te olduğu gibi CPU kümesi “2 + 6” olarak kalıyor. Geekbench 6’da sızan bir Galaxy S26 Edge sonucu, yeni yonga setinin iki performans çekirdeğinin 4.74 GHz’de; altı verimlilik çekirdeğinin ise 3.63 GHz’de çalıştığını gösteriyordu. Muhtemelen bu, Samsung’a özel daha yüksek seçilmiş bir varyant. Standart 8 Elite Gen 5’te hızların 4.61 GHz ve 3.63 GHz olacağı konuşuluyor. Karşılaştırma açısından mevcut 8 Elite’te bu değerler, 4.32 GHz ve 3.53 GHz’ti. Grafik tarafında Adreno 840’ın varsayılan saat hızı, 1.20 GHz; bu da Adreno 830’daki 1.10 GHz’in üzerinde bir değer demek.
Yeni yonga setinde önbellek de büyüyor. 8 Elite, toplam 24 MB (L2 + L3) ile gelmişti; halefinde toplam 32 MB’a çıkılacağı söyleniyor. NPU’nun ise 100 TOPS’a ulaşabileceği iddia ediliyor. Karşılaştırmak gerekirse Snapdragon X Elite’in NPU’su, en fazla 45 TOPS görüyor. Eğer bu rakamlar doğrulanırsa akıllı telefon sınıfı bir yonga seti, laptop odaklı bir çözüme göre iki katı aşkın NPU performansına çıkmış olacak.
Aynı Galaxy S26 Edge sızıntısında performans çekirdekleri 4.00 GHz’e düşürüldüğünde bile Snapdragon 8 Elite Gen 5’in, selefinin tek ve çok çekirdek sonuçlarını yakaladığı; hatta geçtiği görüldü. Oyun performansında da belirgin artış ve daha düşük güç tüketimi konuşuluyor. Başka bir kaynağa göre ise güç tüketimi selefiyle benzer kalırken performans artıyor. Dahası, AnTuTu tarafında 4 milyon puanın üzerine çıkan skorlar dile getiriliyor.
Son olarak TSMC’nin daha verimli 3nm N3P süreci ve Qualcomm’un ikinci nesil Oryon çekirdekleriyle Snapdragon 8 Elite Gen 5’in, hem selefini hem de rakiplerini geniş ölçekte geçmesi bekleniyor. Yine de resmi detaylar için 23 Eylül’e kadar temkinli olmakta fayda var.
Kaynak: wccftech.com
