Samsung’un 2nm GAA süreci, şirketin önceki üretim teknolojilerine göre hem performans hem de verimlilikte ciddi kazanımlar getiriyor. Ancak dökümhane biriminin başkan yardımcısı, artık sadece düğüm küçültmenin sınırlı fayda sağladığını; bu yüzden farklı yolların denenmesi gerektiğini söylüyor. Bu amaçla Samsung, en ileri düğümlerin gücünü artırmak için “Tasarım-Süreç Bütünleşik Optimizasyonu” (DTCO) yaklaşımını öne çıkarıyor.
FinFET’ten GAA’ya Geçiş: Akım Kontrolü Artıyor, 2nm ile Kazanımlar Hızlanıyor
Seul COEX’te düzenlenen 8. Yarı İletken Sanayi-Üniversite-Araştırma Çalıştayı’nda konuşan Samsung Electronics Başkan Yardımcısı Shin Jong-shin, sektörün DTCO’ya yöneldiğini; hem Samsung’un hem de TSMC’nin tasarım ve süreç tarafını birlikte geliştiren özel ekipler kurduğunu aktardı. Shin, “Artık tek başına süreç küçültme en fazla yüzde 10-15’lik iyileşme getiriyor. 7nm’de toplam iyileştirmenin yaklaşık yüzde 10’u DTCO’dan geliyordu. 3nm ve altına indiğimizde bu payın yüzde 50’ye çıkmasını bekliyoruz” dedi.
The Elec’in aktardığına göre DTCO’da mühendisler, Tesla gibi müşterilerin talepleri doğrultusunda mevcut süreç kısıtlarını gözden geçirip alternatifleri deniyor. Bu sayede hücre yerleşimi daha verimli hale geliyor ve kapladıkları alan azalıyor. Samsung, önceki nesillerde FinFET kullanmıştı; 3nm ile Gate-All-Around (GAA) mimarisine geçti. 3nm’de verimler istenen seviyede olmasa da 2nm hattı çok daha umut veriyor.
Shin, “Bir düğümden daha ileri düğüme geçişte tipik performans artışı yaklaşık yüzde 15, alan küçülmesi de benzer oranda. Yapay zekâda performansın birkaç ayda katlanmasına alıştık ama yarı iletkende yüzde 1–2 fark bile süreç seçiminde belirleyici olabiliyor.” diyerek küçük farkların önemini vurguladı.
DTCO’dan SPCO/SDTCO’ya: Yapay Zekâ ile Otomatik Hücre Tasarımı
Samsung, daha küçük alan ve daha düşük güç tüketimi için yeni hücre yapılarının yapay zekâ ile otomatik üretilmesini hedefliyor. Şirket, DTCO kapsamını Sistem-Süreç Eş Optimizasyonu (SPCO) ve Sistem-Tasarım-Süreç Eş Optimizasyonu’na (SDTCO) genişletmeyi planlıyor. Kulislerde Samsung’un ikinci nesil 2nm GAA sürecinin temel tasarımını tamamladığı, üçüncü sürüm SF2P+’ın ise iki yıl içinde devreye girebileceği konuşuluyor. Bu da firmanın 1.4 nm’ye acele etmek yerine 2nm’yi olgunlaştırmaya ve DTCO ile güçlendirilmiş varyantlar geliştirmeye odaklandığını gösteriyor.
Kaynak: wccftech.com