Dünyanın önde gelen yarı iletken üreticileri TSMC, Samsung ve SK hynix, bilgisayar ve elektronik cihazların performansını doğrudan etkileyen DRAM belleklerin yeni neslini geliştirmek için çalışmalarını sürdürüyor.
Samsung ve SK hynix 1c DRAM Rotasında İlerlerken TSMC, HBM4 Bellek Taban Kalıpları için 12nm ve 5nm Devreler Geliştiriyor
Güney Kore’nin teknoloji devleri Samsung ve SK hynix, bilgisayarların ve diğer elektronik cihazların hızını artıracak yeni nesil HBM4 bellek standartını geliştirmek için kıyasıya bir rekabet içinde. Her iki şirket de 2025-2026 yıllarında piyasaya sürmeyi hedefledikleri bu yeni bellek teknolojisi için ilk planlarını açıkladı. Samsung, VRAM kapasitelerinde ve bellek bant genişliğinde olağanüstü bir artış sağlamak amacıyla 3D Paketleme teknolojilerini ve 16-Hi’ye kadar geçici bellekler kullanmayı hedefliyor. Öte yandan SK hynix de HBM4 bellek çözümleri için yeni paketleme teknolojileri geliştirmeyi planlıyor.
ZDNet Korea’nın raporuna göre Samsung ve SK hynix, yüksek performanslı yeni nesil HBM4 bellekler için daha gelişmiş 1c DRAM kullanmayı planlıyor. Samsung ilk olarak HBM4 belleklerde 10nm sınıfındaki 5. Nesil DRAM olan 1b DRAM kullanmayı düşündüğünü ve bu üretimin geçtiğimiz yıl Mayıs ayında başladığını duyurdu. Şirketin mevcut HBM3E bellekleri ise daha eski olan 1a DRAM teknolojisine dayanıyor. Şirket, son zamanlarda NVIDIA’nın Hopper ve Blackwell gibi en yeni yapay zeka GPU’ları için yapılan yeterlilik testlerini geçememesi nedeniyle yaşadığı aksaklıkları telafi etmeyi ve piyasada yeniden güçlü bir konuma gelmeyi hedefliyor.
Samsung’un yeni nesil HBM4 belleklerinde 1c DRAM kullanma kararı, şirketin güç tüketimi konusunda rakiplerine göre daha yüksek değerler sergilemesiyle ilişkilendiriliyor. Şirket, bu sorunu çözmek ve rekabet avantajı sağlamak amacıyla daha düşük güç tüketimine sahip olan 1c DRAM’i 12-Hi ve 16-Hi yükseklikteki HBM4 ürünlerinde kullanmayı planlıyor. Şirketin 2024 yılının sonuna kadar 1c DRAM üretimi için ilk seri üretim hattını kurması ve ayda yaklaşık 3 bin birim üretim kapasitesine ulaşması bekleniyor. Bu üretim miktarının nihai HBM4 ürünlerinin üretim miktarı ile benzer olması öngörülüyor. Ayrıca bazı endüstri kaynaklarına göre Samsung, seri üretime 2025 yılının ortalarında başlayabilir ancak bu bilgi henüz resmi olarak doğrulanmış değil.
SK hynix ise yüksek performanslı bellek teknolojileri alanında önemli bir adım atarak HBM4 bellek ürünleri için 1b DRAM kullanmayı planladığını duyurdu.
Diğer yandan TSMC Avrupa Teknoloji Sempozyumu 2024’te yaptığı açıklamada, yeni nesil HBM4 belleklerin arayüz genişliğinin 1024 bit’ten 2048 bit’e çıkarılmasının getirdiği teknik zorluklara değindi. Şirket, bu karmaşıklıkların üstesinden gelmek için belleklerin temelini oluşturacak yeni kalıpların N12 ve N5 gibi daha gelişmiş devreler ile üretileceğini duyurdu.
“HBM4 belleklerin tam yığın entegrasyonunu sağlamak için Micron, Samsung ve SK Hynix gibi önemli bellek üreticileriyle birlikte çalışıyoruz. N12FFC+ işlem düğümü, HBM bellekler için uygun maliyetli ve yüksek performanslı bir temel kalıp sunabilir. N5 işlem düğümü ise HBM4 belleklerin hızlarını çok daha düşük güç tüketimiyle sağlayarak daha fazla mantık devresi entegrasyonuna imkan tanıyabilir.”
TSMC Tasarım ve Teknoloji Platformu Kıdemli Direktörü
”HBM4 bellek teknolojisinin geliştirilmesi sürecinde kanal sinyal bütünlüğünün, IR/EM (akım ve elektromanyetik) toleransların ve termal doğruluğun sertifikasyonu için Cadence, Synopsys ve Ansys gibi elektronik tasarım otomasyonu (EDA) şirketleriyle iş birliği içindeyiz.”
TSMC Tasarım ve Teknoloji Platformu Kıdemli Direktörü
TSMC’nin gelişmiş CoWoS teknolojilerini kullanarak yeni temel kalıplar geliştirdiği ve bu sayede 16-Hi yığınına kadar bellek ürünleri üretebileceği bildirildi. CoWoS-L ve CoWoS-R paketleri gibi yeniliklerin yanı sıra, yeni bir kanal sinyal bütünlüğü süreci de bu gelişmeler arasında yer alıyor. 5nm düğüm teknolojisi kullanılarak üretilecek olan bu yeni belleklerin; güç tüketimi, performans ve yoğunluk açısından önemli avantajlar sunması bekleniyor.
Kaynak: wccftech.com
