Samsung, DRAM (Dynamic Random Access Memory) standartlarında liderliği ele geçirmek için daha fazla veri saklayabilen ve daha hızlı erişim sağlayan yeni nesil 3D DRAM bellekler üzerinde çalışıyor.
Samsung, Yeni Nesil 3D DRAM’in Çip Kapasitesini 100 GB’a Kadar Çıkararak Yüksek Performans Sağlayabilir
DRAM endüstrisi yenilikçi çözümlere yönelirken Samsung, yeni 3D DRAM teknolojisiyle dikkatleri üzerine çekiyor. Güney Kore’nin Seul şehrinde düzenlenen International Memory Workshop (IMW) 2024 etkinliğinde konuşan Samsung Electronics Başkan Yardımcısı Lee Si-woo, özellikle yapay zeka gibi hızla gelişen alanlarda gelişmiş DRAM teknolojisine olan ihtiyacın artık çok daha önemli olduğunu vurguladı.
“Hiper ölçekleyici yapay zeka ve isteğe bağlı yapay zeka uygulamaları gibi endüstriyel gelişmeler, büyük miktarda veri işleme kapasitesi gerektiriyor. Ancak günümüzün DRAM teknolojileri, bu ihtiyacı karşılama konusunda zorlanıyor. Bu nedenle veri depolama birimlerinin hücrelerinde önemli yenilikler yapılması bekleniyor.”
SAMSUNG ELECTRONİCS BAŞKAN YARDIMCISI LEE Sİ-WOO
Samsung, 3D DRAM teknolojisindeki yenilikleri sayesinde DRAM entegrasyonunda önemli bir ilerleme kaydederek bellek hücre alanını önemli ölçüde azalttığını belirtiyor.
Güney Kore’li şirket, “4F Square” adı verilen ve transistörlerin dikey olarak monte edildiği VCT (Vertical Channel Transistors) tekniği kullanarak DRAM hücre yapısını geliştirdi. Şirket bu sayede, bellek hücrelerini katmanlar halinde üst üste istifleyerek 16 katman hedefine ulaşmayı ve çok daha yüksek bellek kapasitesi elde etmeyi amaçlıyor.
Yapay zeka ve artan tüketici talebi sayesinde DRAM piyasaları ekonomik bir yükseliş yaşıyor. Bu durum, teknolojik yenilikleri teşvik etmenin yanı sıra piyasa rekabetini de kızıştırıyor. Ancak Samsung’un üzerinde çalıştığı 3D DRAM teknolojisi, henüz tam anlamıyla piyasaya sürülmedi. Şirket, bu yeni teknolojinin üretiminde karşılaşılan karmaşık tekniklerin maliyetleri artırabileceğini belirtiyor.
Kaynak: wccftech.com
