Samsung, 290 katmanlı 9. nesil ve 430 katmanlı 10. nesil V-NAND çözümleriyle NAND flash sektörünü bir sonraki seviyeye taşımayı planlıyor.
Samsung’un 10. Nesil V-NAND Teknolojisi Kapsamındaki 430 Katmanlı NAND Flash Yongaları Gelecek Yıl Piyasaya Sürülecek
Tüketici talebinin azalması ve stokların yığılması nedeniyle zor bir ekonomik dönemden geçen NAND flash pazarı hızla toparlanıyor. Üreticilerin inovasyona odaklandığı bu yeni dönemde Samsung, 9. nesil V-NAND flash serisiyle üst seviye olarak kabul edilebilecek yeni bir NAND türü üzerinde çalıştığını duyurdu. Üst üste yığılmış tam 290 katmandan oluşan bu seri, flash yongaları için yeni bir referans noktası olacak.
Kore medya kuruluşları Samsung’un 9. nesil NAND standardını önümüzdeki ay piyasaya sürmeyi planladığını ve 236 katmana sahip bir önceki neslin yerini alacağını bildirdi. Görünüşe göre sektörde bir “katman yığınlama” mücadelesi veriliyor ve Samsung’un SK Hynix ile Kioxia gibi rakiplerinden oldukça ileride olduğunu söylemek mümkün. Daha da ilginci, Koreli teknoloji devi önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesi beklenen tam 430 katmanlı (10. nesil V-NAND) NAND yongasını da duyurdu.
Samsung’un en yeni 9. nesil NAND sürecinin bir başka heyecan verici yönü de çoklu kanal delikleri aracılığıyla daha fazla katman sığdırmaya odaklanan “çift yığınlama” tekniği. Bu teknikte bağımsız hücreler arasındaki bağlantı elektrik aracılığıyla sağlanıyor. Delme tekniği daha yüksek bir ara bağlantı verimliliği sunmasının yanı sıra geleneksel yığınlama yöntemlerine kıyasla çok daha ucuz.
Özellikle çok fazla miktarda hızlı depolama birimine ihtiyaç duyan yapay zeka uygulamaları nedeniyle NAND ürünlerinin kullanımı son birkaç ayda ciddi artış gösterdi. Bu durumun yarattığı talep artışı Samsung gibi NAND flash yongası üreticilerinin bu alanda daha hızlı gelişme kaydetmesini sağlayacak.
Kaynak: Hankyung
