SK hynix, 6. nesil 10nm üretim sürecine sahip olan 1c teknolojisiyle dünyanın ilk DDR5 belleğini geliştirdi. Şirket, bu ileri üretim teknolojisini ayrıca HBM, LPDDR6 ve GDDR7 gibi diğer bellek ürünlerine de uygulamayı planlıyor.
Geliştirilen Bellek, 8000MT/s’ye Kadar Hızlar Sunarak %11 Hız Artışı Sağlıyor
SK hynix, 10nm sürecinin altıncı jenerasyonu olan 1c düğüm teknolojisiyle sektörün ilk 16GB DDR5 belleğini geliştirdiğini duyurdu. Bu gelişme, bellek işlem teknolojisinin 10nm seviyesine doğru daha da küçülme sürecine girdiğini gösteriyor.
- 10nm sürecinin 6. jenerasyonu olan 1c düğüm, 1b teknolojisi kullanılarak en verimli şekilde geliştirildi.
- Yeni malzeme kullanımı ve EUV (Aşırı Ultraviyole) işlemi optimizasyonuyla maliyet rekabetçiliği artırıldı; güç verimliliği, %30’a kadar iyileştirildi ve bu da veri merkezlerinin elektrik maliyetlerini düşürmeye yardımcı olacak.
- 2025 yılında hacimli sevkiyat için bu yıl seri üretime başlanması bekleniyor.
- 1c düğüm, müşterilere farklı değerler sunmak için ileri düzey DRAM ürünlerine uygulanacak.
10nm bandındaki DRAM teknolojisinin küçültülme süreci zorlaştıkça, bu alanda ilerleme kaydetmek de giderek daha karmaşık hale geliyor. Ancak SK hynix, beşinci jenerasyon olan 1b teknolojisini kullanarak tasarımda tamamlanma seviyesini artırmayı başardı ve bu sayede sınırları aşarak önemli bir başarı elde eden ilk firma oldu.
1c teknolojisini en iyi performans ve maliyet rekabetçiliği ile donatarak HBM, LPDDR6 ve GDDR7 gibi yeni nesil ana ürünlerimize uygulayarak müşterilere farklı değerler sunmaya kararlıyız. DRAM alanındaki liderliğimizi sürdürmeye ve en güvenilir yapay zeka bellek çözümü sağlayıcısı konumumuzu korumak için çalışmaya devam edeceğiz.
SK HYNİX DRAM GELİŞTİRME BAŞKANI, KİM JONGHWAN
SK hynix, 1b teknolojisinin sağladığı yüksek performansı daha verimli bir şekilde sunmak ve sürecin ilerletilmesinden kaynaklanabilecek potansiyel hataları azaltmak için 1b DRAM platformunu genişletti. Şirket, 1c DDR5 belleklerinin seri üretimine bu yıl başlamayı ve 2025 yılında hacimli sevkiyata geçmeyi planlıyor.
Yeni ürün, EUV işlemlerini optimize ederek ve yeni malzemeler kullanarak maliyet rekabetçiliğini önemli ölçüde artırdı. SK hynix, bu tasarım yenilikleri sayesinde üretkenliği %30’dan fazla artırmayı başardı.
Yüksek performanslı veri merkezlerine uyarlanması beklenen 1c DDR5 bellek, önceki nesilden %11 daha yüksek bir hız sunarak 8Gbps’ye ulaşıyor. Ayrıca güç verimliliği, %9 oranında artırıldı. SK hynix, yapay zeka çağının ilerlemesiyle artan enerji tüketimi döneminde 1c DRAM’in veri merkezlerinin elektrik maliyetlerini %30’a kadar düşürmesini bekliyor.
Kaynak: wccftech.com
