- Katılım
- 6 Aralık 2023
- Mesajlar
- 13.438
- Makaleler
- 5
- Çözümler
- 3
- Beğeniler
- 4.783
NEO Semiconductor, geliştirdiği yeni nesil bellek hücreleriyle DRAM teknolojisinde ezber bozmayı hedefliyor. Şirketin duyurduğu 1T1C ve 3T0C hücre tasarımları, 512 GB kapasiteye ulaşarak günümüzde kullanılan DRAM modüllerinin en az 10 katı depolama alanı sunuyor. DRAM Teknolojisinde Yeni Bir Dönem Başlayabilir NEO Semiconductor, 3D X-DRAM adını verdiği teknolojiyi daha da ileriye taşıyan iki yeni bellek hücresi…
Devamını Oku: 3D X-DRAM Teknolojisi, Standart Belleklerden 10 Kat Daha Fazla Kapasite Vadediyor
Kaynak: Techolay
