- Katılım
- 6 Aralık 2023
- Mesajlar
- 13.322
- Makaleler
- 5
- Çözümler
- 3
- Beğeniler
- 4.774
Güney Kore’deki Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü’ndeki (KAIST) araştırmacılar, daha önceki sürümlerin eksikliklerine tabi olmayan yeni bir tür faz değişim belleği geliştirdiler. Faz değişimli bellek ya da kısaca PCM, iki fiziksel durum arasında geçiş yaparak çalışır: Kristalize (düşük dirençli) ve amorf (yüksek dirençli). Bunu DRAM ve NAND flash’ın ideal bir karışımı olarak düşünün. DRAM…
Devamını Oku: Çığır Açan Yeni RAM Teknolojisi Geliştirildi
Kaynak: Techolay
