Standart NAND flash depolama; bilgisayarlar ve telefonlardaki microSD kartlarda, USB sürücülerde ve SSD’lerde kullanılıyor. Daha küçük alanlara daha fazla boyut sığdırmak için üreticiler, 3D NAND teknolojisi ile bellek hücrelerini dikey olarak istiflemeye başladılar.
SSD Teknolojileri Gelişiyor
3D NAND teknolojisindeki gelişmeler sayesinde çip tasarımlarında 200 katmanın üzerine çıkıldı ve Micron, SK Hynix ve Samsung gibi şirketler depolama verimini artırmak için 400 katmanlı teknolojileri denemeye başladı. Ancak, daha yüksek katman sayıları daha fazla üretim karmaşıklığı getiriyor. Özellikle zorlu bir işlem olan aşındırma, dönüşümlü silikon oksit ve silikon nitrür katmanları üzerinden hassas deliklerin titizlikle oyulmasını gerektiriyor.
Lam Research, Colorado Boulder Üniversitesi ve Princeton Plazma Fizik Laboratuvarı’ndan (PPPL) araştırmacılar, işlemi kolaylaştırmak için yeni bir teknik geliştirdiler. Delikleri aşındırmak için kriyojenik, yani çok düşük sıcaklıktaki hidrojen florür plazması kullanılıyor. Yapılan deneylerde aşındırma hızı iki katından fazla hızlanarak dakikada 310 nanometre iken 640 nanometreye ulaştı.
Araştırmacılar, hidrojen florür plazma deneyine birkaç başka bileşen eklemeyi denediler. Fosfor triflorür, silisyum dioksit aşındırma için azotlu bir güçlendirici görevi gördü ve oranı dört katına çıkardı. Ayrıca araştırmacılar, amonyum florosilikatını da test ettiler. Ekip, sonuçları Journal of Vacuum Science & Technology’de yayımlanan bir çalışmada ayrıntılı olarak açıkladı.
Kaynak: Techspot
