TSMC, 2nm sınıfı N2 sürecinin planlandığı gibi 2025’in 4. çeyreğinde hacimli üretime başladığını şirketin 2nm teknoloji sayfasına eklenen notla doğruladı. Böylece TSMC, ilk kez gate-all-around (GAA) nanosheet transistörlü bir düğümü seri üretime taşımış oldu.
N2 neler vadediyor?
TSMC, N2’nin N3E’ye göre aynı güçte yüzde 10–15 performans artışı ya da aynı performansta yüzde 25–30 güç düşüşü getirdiğini; karma tasarımlarda (mantık+SRAM+analog) yoğunluğun ortalama yüzde 15 arttığını belirtiyor. N2, güç dağıtımında geliştirilmiş SHPMIM kapasitörleriyle de kararlılık ve verimlilik kazanıyor.
Üretim nerede, sırada ne var?
İlk hatlar Tayvan’da Hsinchu ve Kaohsiung tesislerinde devreye alınıyor; Kaohsiung’daki Fab 22’nin 2nm’ye hazırlandığı da daha önce resmî açıklamalar ve yerel etkinliklerle desteklenmişti. Şirket, 2026 boyunca daha hızlı bir üretim artışı bekliyor.
N2P ve bir sonraki kuşak A16 (1.6nm) düğümlerinin 2026’nın ikinci yarısında hacimli üretime girmesi planlanıyor. A16, TSMC’nin “Super Power Rail” olarak adlandırdığı arka yüz güç besleme yaklaşımıyla N2’ye göre ek performans ve verimlilik kazanımları hedefliyor.
TSMC’nin ABD’deki Arizona kampüsünde ise Fab 21’in 2. fazı 3nm için 2027 üretimine hazırlanırken, 3. faz N2/A16 için tasarlanıyor. Bu adımlar, özellikle AI ve HPC talebindeki artışa yanıt olarak şirketin ileri düğüm kapasitesini küresel ölçekte yaymayı amaçlıyor.
Özetle: N2’nin 4Ç25’te seri üretime geçmesi, akıllı telefonlardan veri merkezi hızlandırıcılarına kadar geniş bir alanda performans/enerji verimliliği dengesi için yeni bir zemin hazırlıyor. Asıl hacim artışı 2026’da gelecek; ardından N2P ve A16 ile GAA mimarisi üzerinde daha agresif bir yol haritası izlenecek.
Kaynak: www.techspot.com