Samsung, 9. Nesil V-NAND flaş belleğinin seri üretimine başladı. Bu yeni nesil bellek, önceki 8. Nesil V-NAND’a kıyasla %33’lük bir performans artışı sunuyor.
Samsung, 1Tb’lik TLC 9. Nesil V-NAND Seri Üretimine Başlarken, QLC ise 2024’ün İkinci Yarısında Başlıyor
Birkaç hafta önce 9. Nesil V-NAND flaş belleğin seri üretime geçtiği haberinden sonra, dört bit bilginin saklandığı QLC flaş bellek hücresinin duyurusu da bekleniyordu. İlk olarak TLC NAND bu ay içinde üretime geçecek ve QLC seri üretimi yılın ikinci yarısında yapılacak. Ayrıca, 9. Nesil V-NAND’ın 290’dan fazla katmana sahip olacağı bildirildi ancak bu bilgi, Samsung tarafından henüz resmi olarak doğrulanmadı.
Gelişmiş bellek teknolojisinde önde gelen bir şirket olan Samsung Electronics, bugün 9. Nesil V-NAND flaş bellekler için 1 Terabitlik (Tb) Üç Seviyeli Hücrenin (TLC) seri üretimine başladığını duyurdu. Şirket, bu adım ile NAND flaş bellek pazarındaki liderliğini daha da güçlendirmeyi hedefliyor.
Samsung; sektörün en küçük hücre boyutuna ve en ince kalıbına sahip olarak, 9. nesil V-NAND’ın bit yoğunluğunu önceki nesile göre yaklaşık %50 artırırken bu yeni teknoloji ile ürün kalitesini ve güvenilirliğini de artırdı. Ayrıca hücre parazitini önleme ve hücre ömrünü uzatma gibi yeniliklerle birlikte, sahte kanal delikleri kaldırılarak bellek hücrelerinin düzlemsel alanı önemli ölçüde azaltıldı.
Ek olarak Samsung’un ileri “kanal deliği aşındırma” teknolojisi, şirketin süreç yeteneklerindeki liderliğini de vurguluyor. Bu teknoloji, kalıp katmanlarını üst üste koyarak elektron yolları oluştururken çift katmanlı bir yapıda endüstrinin en yüksek hücre katmanı sayısını aynı anda delerek üretim verimliliğini de maksimize ediyor. Hücre katmanlarının sayısı arttıkça, daha fazla hücre sayısını delme becerisi önemli hale geldiği için daha gelişmiş aşındırma tekniklerini gerektiriyor.
9. nesil V-NAND, yeni nesil NAND flaş arayüzü olan “Toggle 5.1” ile donatılmış durumda. Bu yeni arayüz, veri giriş/çıkış hızlarını %33 artırarak saniyede 3,2 gigabite (Gbps) kadar destekliyor. Samsung, bu yeni arayüzle birlikte PCIe 5.0 desteğini genişleterek yüksek performanslı SSD pazarındaki konumunu sağlamlaştırmayı planlıyor.
Son olarak, düşük güç tasarımındaki iyileştirmeler sayesinde güç tüketimi önceki nesile kıyasla %10 azaltıldı. Bu ay 1Tb TLC 9. nesil V-NAND için seri üretime başlayan Samsung, bu yılın ikinci yarısında dört seviyeli hücre (QLC) modelini de piyasaya sürecek.
Kaynak: wccftech.com
